IT之家 6 月 24 日音问，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报谈称表露下一代 NAND Flash（闪存）阶梯图，指标 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。
6 月 14~18 日在好意思国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技能与电路讨论会（VLSI Symposium 2026）上，三星公开了更竣工的 NAND Flash（闪存）阶梯图。
字据幻灯片表露的阶梯估量，三星指标 2029 年末端 420 层 NAND 闪存贬责决议，到 2030 年鼓动至 560 层以上。随后鄙人一个十年头，男人添女荫道口高潮了不竭把层数翻倍，迈向 1000 层以上居品，职业高容量存储场景。IT之家附上干系截图如下：
阶梯还估量展示 900 至 1000 层决议，三星指标通过 CMB（单位多重键合）相接形势，在一颗芯片内封装 2 组 450 层单位，让 8 TB 的 QLC M.2 SSD 不错耕作到最高 32 TB。
在量产难度方面，三星暗示主要结巴包括晶圆翘曲和层间瞄准缺欠。三星公司指标引入 Upper Chuck Design 决议来畛域翘曲，并借助 Overlay Correction（叠对纠正）技能缩短错位风险。
